单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Ta）15A（Ta）， 97A（Tc）57A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 25A，10V23 毫欧 @ 28A，10V68 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA3.3V @ 50µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.3 nC @ 10 V33 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
502 pF @ 30 V2500 pF @ 50 V3130 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.12W（Ta）3W（Ta），125W（Tc）200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKPG-TDSON-8 FLTO-252-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-2
DMN6068LK3-13
MOSFET N-CH 60V 6A TO252-3
Diodes Incorporated
26,035
现货
822,500
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.54096
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Ta）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2.12W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3710STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Infineon Technologies
16,284
现货
1 : ¥15.27000
剪切带（CT）
800 : ¥8.54234
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
57A（Tc）
10V
23 毫欧 @ 28A，10V
4V @ 250µA
130 nC @ 10 V
±20V
3130 pF @ 25 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
24,357
现货
1 : ¥20.11000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.71225
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Ta）， 97A（Tc）
8V，10V
6 毫欧 @ 25A，10V
3.3V @ 50µA
33 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
3W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。