单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
CoolMOS™OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V100 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.1A(Ta)5.7A(Ta)24A(Tc)100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.9 毫欧 @ 50A,10V30 毫欧 @ 7.5A,10V42 毫欧 @ 5.7A,10V95 毫欧 @ 11.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA3.8V @ 125µA4V @ 590µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20 nC @ 5 V24 nC @ 10 V45 nC @ 10 V95 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2140 pF @ 400 V7000 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
1.3W(Ta)1.5W(Ta)128W(Tc)188W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICPG-TO220-3-1PG-TO247-3-1
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-220-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
SI4431BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
Vishay Siliconix
38,456
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.27878
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.7A(Ta)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 7.5A,10V
3V @ 250µA
20 nC @ 5 V
±20V
-
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PG-TO247-3
IPW65R095C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Infineon Technologies
1,186
现货
1 : ¥54.18000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
24A(Tc)
10V
95 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
45 nC @ 10 V
±20V
2140 pF @ 400 V
-
128W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
8-SOIC
SI9435BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Vishay Siliconix
2,371
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.05582
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.1A(Ta)
10V
42 毫欧 @ 5.7A,10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-220-3
IPP039N10N5AKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥31.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
3.9 毫欧 @ 50A,10V
3.8V @ 125µA
95 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 50 V
-
188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。