单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA(Ta)21A(Tc)50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 50A,10V52 毫欧 @ 18A,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA4V @ 35µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V31 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V890 pF @ 75 V1820 pF @ 75 V
功率耗散(最大值)
370mW(Ta)57W(Tc)150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TDSON-8-5PG-TO252-3SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
384,705
现货
1 : ¥1.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27818
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
115mA(Ta)
5V,10V
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO252-3
IPD200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Infineon Technologies
48,893
现货
1 : ¥16.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.14944
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
50A(Tc)
8V,10V
20 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-Power TDFN
BSC520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5
Infineon Technologies
9,207
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.44909
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
21A(Tc)
8V,10V
52 毫欧 @ 18A,10V
4V @ 35µA
12 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 75 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。