单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）25A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.9 毫欧 @ 10A，10V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10.2 nC @ 4.5 V22.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
808 pF @ 15 V1510 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）3.1W（Ta），42W（Tc）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2305UX-7
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
181,636
现货
2,040,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54239
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD17578Q5AT
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Texas Instruments
1,488
现货
1 : ¥7.96000
剪切带（CT）
250 : ¥5.04348
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25A（Ta）
4.5V，10V
6.9 毫欧 @ 10A，10V
1.9V @ 250µA
22.3 nC @ 10 V
±20V
1510 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。