单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®SuperMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
80 V200 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.2A（Tc）8.9A（Ta）9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 8.9A，10V800 毫欧 @ 3.1A，10V900 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14 nC @ 10 V41 nC @ 10 V72 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
260 pF @ 25 V1990 pF @ 25 V2180 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）3W（Ta），50W（Tc）160W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOICTO-247-3TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS3572
MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC
onsemi
4,161
现货
7,500
工厂
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.91561
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
8.9A（Ta）
6V，10V
16 毫欧 @ 8.9A，10V
4V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1990 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-263AB
IRF620SPBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Vishay Siliconix
471
现货
1 : ¥16.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5.2A（Tc）
10V
800 毫欧 @ 3.1A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 25 V
-
3W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-247-3 HiP
STW10NK80Z
MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
STMicroelectronics
627
现货
1 : ¥41.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
9A（Tc）
10V
900 毫欧 @ 4.5A，10V
4.5V @ 100µA
72 nC @ 10 V
±30V
2180 pF @ 25 V
-
160W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。