单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
HEXFET®OptiMOS™TrenchFET® Gen V
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
120 V150 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13.4A（Ta），98A（Tc）19A（Ta），77.4A（Tc）57A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.7 毫欧 @ 50A，10V7.9 毫欧 @ 20A，10V33 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 110µA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
71 nC @ 10 V88 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3740 pF @ 75 V5700 pF @ 60 V5860 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
6.25W（Ta），104W（Tc）139W（Tc）360W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PowerPAK® SO-8TO-247AC
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-TDSON-8-1
BSC077N12NS3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Infineon Technologies
26,117
现货
1 : ¥23.81000
剪切带（CT）
5,000 : ¥11.10725
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
13.4A（Ta），98A（Tc）
10V
7.7 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 110µA
88 nC @ 10 V
±20V
5700 pF @ 60 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8 Single
SIR570DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Vishay Siliconix
2,731
现货
1 : ¥19.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.79454
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
19A（Ta），77.4A（Tc）
7.5V，10V
7.9 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
3740 pF @ 75 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-247-3 AC EP
IRFP4332PBF
MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC
Infineon Technologies
157
现货
1 : ¥44.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
57A（Tc）
10V
33 毫欧 @ 35A，10V
5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±30V
5860 pF @ 25 V
-
360W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247AC
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。