单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-HEXFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)350mA(Ta)760mA(Tj)1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
220 毫欧 @ 1.6A,10V360 毫欧 @ 350mA,4.5V1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V3.5 欧姆 @ 220mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2.5V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.68 nC @ 4.5 V2.1 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±6V±8V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 10 V50 pF @ 15 V156 pF @ 5 V290 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
260mW(Ta),830mW(Tc)300mW(Ta)301mW(Tj)1.3W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SC-75,SOT-416SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
SC-70,SOT-323SC-75,SOT-416TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
26,699
现货
3,675,000
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.28952
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
35,350
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16184
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.6A(Ta)
4.5V,10V
220 毫欧 @ 1.6A,10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
640,300
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33877
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
350mA(Ta)
1.8V,4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW(Ta),830mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SC−75-3_463
NTA4151PT1H
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
onsemi
53,929
现货
90,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52168
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
760mA(Tj)
1.8V,4.5V
360 毫欧 @ 350mA,4.5V
1.2V @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
301mW(Tj)
-
-
-
表面贴装型
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。