单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Goford SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
660mA（Ta）4.1A（Tc）5A（Ta）5A（Tc）5.4A（Ta），7.6A（Tc）5.6A（Ta），7.5A（Tc）5.8A（Tc）6A（Ta）6A（Tc）6.1A（Ta），7.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
21毫欧 @ 6A，10V22.7毫欧 @ 5A，10V27 毫欧 @ 5A，10V28 毫欧 @ 5.5A，10V29 毫欧 @ 5.4A，10V29 毫欧 @ 5A，4.5V36 毫欧 @ 4.5A，10V42 毫欧 @ 3.8A，10V80 毫欧 @ 4A，10V94 毫欧 @ 10A，10V480 毫欧 @ 780mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10µA1.2V @ 250µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.8 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V10.8 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V19.5 nC @ 10 V22 nC @ 10 V25.2 nC @ 10 V36 nC @ 10 V37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±12V+16V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
170 pF @ 16 V335 pF @ 15 V420 pF @ 20 V424 pF @ 15 V435 pF @ 15 V650 pF @ 25 V705 pF @ 15 V745 pF @ 15 V980 pF @ 15 V1295 pF @ 15 V1366 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）510mW（Ta），6.94W（Tc）1.25W（Ta），2.1W（Tc）1.25W（Ta），2.5W（Tc）1.3W（Ta）1.3W（Ta），2.5W（Tc）1.7W（Tc）2.6W（Tc）3W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-723TO-236AB
封装/外壳
SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6344TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
137,821
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02901
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta）
2.5V，4.5V
29 毫欧 @ 5A，4.5V
1.1V @ 10µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
650 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV20ENR
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Nexperia USA Inc.
170,655
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85177
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Ta）
4.5V，10V
21毫欧 @ 6A，10V
2V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），6.94W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2389ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
98,705
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05822
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.1A（Tc）
4.5V，10V
94 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 20 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23(TO-236)
SI2369DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
7,213
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10681
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.4A（Ta），7.6A（Tc）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 5.4A，10V
2.5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1295 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
202,084
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.74207
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Tc）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 3.8A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
705 pF @ 15 V
-
1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2366DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
16,964
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.22297
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Tc）
10V
36 毫欧 @ 4.5A，10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
335 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-723_631AA
NTK3139PT1G
MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
onsemi
56,002
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.83707
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
660mA（Ta）
1.5V，4.5V
480 毫欧 @ 780mA，4.5V
1.2V @ 250µA
-
±6V
170 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
SOT-23-3
SI2393DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Vishay Siliconix
12,487
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07313
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.1A（Ta），7.5A（Tc）
4.5V，10V
22.7毫欧 @ 5A，10V
2.2V @ 250µA
25.2 nC @ 10 V
+16V，-20V
980 pF @ 15 V
-
1.3W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2369BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Vishay Siliconix
43,291
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12892
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.6A（Ta），7.5A（Tc）
4.5V，10V
27 毫欧 @ 5A，10V
2.2V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
+16V，-20V
745 pF @ 15 V
-
1.3W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2338DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23
Vishay Siliconix
5,844
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.40643
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Tc）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 5.5A，10V
2.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
424 pF @ 15 V
-
1.3W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
G6N02L
G05P06L
P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
Goford Semiconductor
4,329
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.86940
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5A（Tc）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1366 pF @ 50 V
-
2.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。