单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V80 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A（Tc）3.3A（Ta）6.8A（Ta）87A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V1.8V，4.5V6V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.3 毫欧 @ 44A，10V18 毫欧 @ 6.8A，4.5V72 毫欧 @ 4.2A，10V290 毫欧 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.3V @ 250µA2.5V @ 250µA4.6V @ 107µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.05 nC @ 4.5 V15.9 nC @ 10 V18 nC @ 10 V40.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
620 pF @ 40 V708 pF @ 15 V888 pF @ 10 V3230 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）1.2W（Ta）3W（Tc）139W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3068L-7
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
Diodes Incorporated
186,960
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62410
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.3A（Ta）
1.8V，10V
72 毫欧 @ 4.2A，10V
1.3V @ 250µA
15.9 nC @ 10 V
±12V
708 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SQ2337ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
291,146
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05822
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
2.2A（Tc）
6V，10V
290 毫欧 @ 1.2A，10V
2.5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
620 pF @ 40 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Infineon Technologies
5,393
现货
1 : ¥30.87000
剪切带（CT）
5,000 : ¥14.40842
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
87A（Tc）
8V，10V
9.3 毫欧 @ 44A，10V
4.6V @ 107µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
3230 pF @ 75 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
AS2312
AS2312
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
3,426
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37563
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.8A（Ta）
1.8V，4.5V
18 毫欧 @ 6.8A，4.5V
1V @ 250µA
11.05 nC @ 4.5 V
±10V
888 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。