单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™ 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
45 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta）88A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 88A，10V28 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA4.2V @ 260µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 5 V76 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
650 pF @ 100 V950 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
20W（Tc）250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO263-3TO-252
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Infineon Technologies
3,083
现货
1 : ¥73.06000
剪切带（CT）
1,000 : ¥41.46279
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
88A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 88A，10V
4.2V @ 260µA
76 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
RB098BM-40FNSTL
RD3H200SNFRATL
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Rohm Semiconductor
1,637
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.65716
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
45 V
20A（Ta）
4V，10V
28 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 1mA
12 nC @ 5 V
±20V
950 pF @ 10 V
-
20W（Tc）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。