单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
54 毫欧 @ 3.2A，4.5V3.6 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.5V @ 100µA
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13.5 pF @ 3 V551 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
100mW（Ta）400mW（Ta），8.33W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
DFN1010D-3SSM
封装/外壳
3-XDFN 裸露焊盘SC-75，SOT-416
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB43UNEZ
MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
45,658
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.83868
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Ta）
1.5V，4.5V
54 毫欧 @ 3.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
551 pF @ 10 V
-
400mW（Ta），8.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
46,705
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.35560
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
3.6 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
100mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。