单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedEPCInfineon Technologies
系列
-eGaN®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）4A（Ta）4.1A（Ta）29A（Ta）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 150A，10V6 毫欧 @ 16A，5V68 毫欧 @ 12A，10V100 毫欧 @ 4A，10V3.3 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 20µA2.5V @ 4mA3V @ 250µA3.8V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.044 nC @ 5 V7.4 nC @ 5 V10.3 nC @ 10 V20 nC @ 10 V223 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8.4 pF @ 50 V502 pF @ 30 V851 pF @ 50 V1120 pF @ 30 V17000 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta）3.1W（Ta）375W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICPG-HSOF-8-1SOT-223-3模具
封装/外壳
8-PowerSFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-261-4，TO-261AA模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
DMN6068SE-13
MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT223
Diodes Incorporated
3,561
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.66948
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.1A（Ta）
4.5V，10V
68 毫欧 @ 12A，10V
3V @ 250µA
10.3 nC @ 10 V
±20V
502 pF @ 30 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
80,350
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64062
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
500mA（Ta）
5V
3.3 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 20µA
0.044 nC @ 5 V
+6V，-4V
8.4 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
461
现货
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.93294
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
29A（Ta）
5V
6 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 4mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
851 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
x-xSOF-8-1
IPT012N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
8,433
现货
1 : ¥51.72000
剪切带（CT）
2,000 : ¥27.49467
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
17000 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
11,811
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.96148
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Ta）
4.5V，10V
100 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1120 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。