单 FET，MOSFET

结果 : 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）4A（Ta）8.2A（Ta）29A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 16A，5V11 毫欧 @ 11A，5V25 毫欧 @ 3A，5V65 毫欧 @ 1A，5V110 毫欧 @ 500mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1.5mA2.5V @ 2.5mA2.5V @ 250µA2.5V @ 4mA2.5V @ 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.45 nC @ 5 V0.91 nC @ 5 V2.1 nC @ 5 V4.3 nC @ 5 V7.4 nC @ 5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
52 pF @ 20 V90 pF @ 50 V258 pF @ 50 V576 pF @ 50 V851 pF @ 50 V
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环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2051
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
34,936
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.30078
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
1.7A（Ta）
5V
25 毫欧 @ 3A，5V
2.5V @ 1.5mA
2.1 nC @ 5 V
+6V，-4V
258 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
24,328
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.64032
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
1.7A（Ta）
5V
65 毫欧 @ 1A，5V
2.5V @ 600µA
0.91 nC @ 5 V
+6V，-4V
90 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2204A
EPC2204A
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
EPC
25,338
现货
1 : ¥23.81000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.71885
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
29A（Ta）
5V
6 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 4mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
851 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
模具
模具
eGaN Series
EPC8004
GANFET N-CH 40V 4A DIE
EPC
8,130
现货
1 : ¥26.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥12.72820
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
40 V
4A（Ta）
5V
110 毫欧 @ 500mA，5V
2.5V @ 250µA
0.45 nC @ 5 V
+6V，-4V
52 pF @ 20 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
EPC2252
EPC2252
TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
EPC
35,648
现货
1 : ¥14.69000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.61657
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
80 V
8.2A（Ta）
-
11 毫欧 @ 11A，5V
2.5V @ 2.5mA
4.3 nC @ 5 V
+6V，-4V
576 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。