单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
210mA（Ta）3.6A（Ta）93A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.7 毫欧 @ 15A，10V65 毫欧 @ 5.7A，10V4 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA2.45V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V25 nC @ 10 V27 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 30 V2160 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
302mW（Ta）1.5W（Ta）79W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8TO-236ABTO-252AA (DPAK)
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SI7415DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
35,812
现货
1 : ¥12.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.69244
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 5.7A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-236AB
BSH111BKR
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
17,816
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37563
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
210mA（Ta）
4.5V
4 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.3V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±10V
30 pF @ 30 V
-
302mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRFR3711ZTRPBF
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
Infineon Technologies
5,072
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.17515
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
93A（Tc）
4.5V，10V
5.7 毫欧 @ 15A，10V
2.45V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±20V
2160 pF @ 10 V
-
79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。