单 FET，MOSFET

结果 : 3
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.1A（Ta）6A（Tc）32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
32 毫欧 @ 5.3A，4.5V33 毫欧 @ 10A，10V58 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
665 pF @ 15 V1100 pF @ 6 V4500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
750mW（Ta）3.2W（Ta），19.8W（Tc）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2333DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
48,668
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.58534
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.1A（Ta）
1.8V，4.5V
32 毫欧 @ 5.3A，4.5V
1V @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±8V
1100 pF @ 6 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7308DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
7,746
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.84830
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6A（Tc）
4.5V，10V
58 毫欧 @ 5.4A，10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
665 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），19.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPak SO-8L
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
49,966
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.01923
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Tc）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。