单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V50 V60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA（Ta）220mA（Ta）320mA（Ta）1.1A（Ta）2.6A（Ta）3.5A（Ta）4A（Ta）4.3A（Ta）4.6A（Ta）4.9A（Ta）5.2A（Ta）5.5A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.5V，8V4.5V，10V5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 20A，10V26 毫欧 @ 6A，4.5V32 毫欧 @ 6.9A，4.5V33毫欧 @ 5，2A，8V35 毫欧 @ 5.5A，4.5V40 毫欧 @ 2.6A，4.5V42 毫欧 @ 4.9A，10V50 毫欧 @ 4.3A，4.5V50 毫欧 @ 4A，10V70 毫欧 @ 4.6A，10V80 毫欧 @ 3.5A，4.5V725 毫欧 @ 1.1A，10V1.6 欧姆 @ 320mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1.1V @ 10µA1.3V @ 250µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2.4V @ 100µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 10 V8.1 nC @ 5 V10 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V15 nC @ 5 V16 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V20 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V25 nC @ 4.5 V40 nC @ 10 V165 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V50 pF @ 25 V56 pF @ 10 V234 pF @ 100 V470 pF @ 15 V779 pF @ 10 V830 pF @ 10 V870 pF @ 10 V905 pF @ 10 V1005 pF @ 15 V1039 pF @ 10 V1138 pF @ 6 V1456 pF @ 10 V1699 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）225mW（Ta）260mW（Ta），830mW（Tc）350mW（Ta）500mW（Ta）660mW（Ta），7，5W（Tc）1.3W（Ta）1.6W（Ta）2W（Ta）2.5W（Ta）2.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOP8-SOMicro3™/SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-323SuperSOT™-6
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323SC-74，SOT-457SOT-23-6SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
显示
/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
175,116
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48925
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT3G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
61,209
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.38339
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
5V
3.5 欧姆 @ 200mA，5V
1.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
50,619
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN306P
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
onsemi
56,077
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20097
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.6A（Ta）
1.8V，4.5V
40 毫欧 @ 2.6A，4.5V
1.5V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1138 pF @ 6 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
131,211
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98619
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SG6858TZ
FDC602P
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
onsemi
4,752
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.89045
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.5A（Ta）
2.5V，4.5V
35 毫欧 @ 5.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
20 nC @ 4.5 V
±12V
1456 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
IRF7205TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8SO
Infineon Technologies
24,031
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.42332
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.6A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 4.6A，10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 10 V
-
2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF9310TRPBF
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
Infineon Technologies
14,138
现货
1 : ¥13.13000
剪切带（CT）
4,000 : ¥5.44727
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Tc）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 100µA
165 nC @ 10 V
±20V
5250 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SOT-323
BSS138BKW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
253,882
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50217
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 320mA，10V
1.6V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-6
IRLTS2242TRPBF
MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
Infineon Technologies
51,537
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20341
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.9A（Ta）
2.5V，4.5V
32 毫欧 @ 6.9A，4.5V
1.1V @ 10µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
905 pF @ 10 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6
6-TSOP
PMN30XPAX
MOSFET P-CH 20V 5.2A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
10,072
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02510
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.2A（Ta）
2.5V，8V
33毫欧 @ 5，2A，8V
1.3V @ 250µA
16 nC @ 4.5 V
±12V
1039 pF @ 10 V
-
660mW（Ta），7，5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74，SOT-457
SG6858TZ
FDC610PZ
MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
onsemi
17,703
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.51651
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.9A（Ta）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.9A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±25V
1005 pF @ 15 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SG6858TZ
FDC658AP
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
onsemi
11,927
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65104
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
8.1 nC @ 5 V
±25V
470 pF @ 15 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SG6858TZ
FDC606P
MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
onsemi
7,590
现货
27,000
工厂
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.97433
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
6A（Ta）
1.8V，4.5V
26 毫欧 @ 6A，4.5V
1.5V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1699 pF @ 6 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SG6858TZ
FDC634P
MOSFET P-CH 20V 3.5A SUPERSOT6
onsemi
4,987
现货
1 : ¥4.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.83610
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.5A（Ta）
2.5V，4.5V
80 毫欧 @ 3.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
779 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SG6858TZ
FDC2612
MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.28390
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
1.1A（Ta）
10V
725 毫欧 @ 1.1A，10V
4.5V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
234 pF @ 100 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。