单 FET，MOSFET

结果 : 5
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）1.8A（Ta）2A（Ta），8.4A（Tc）4.1A（Ta）8.5A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 8.5A，10V67 毫欧 @ 4.1A，10V111 毫欧 @ 2.9A，10V155 毫欧 @ 1A，10V307 毫欧 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V18.1 nC @ 10 V46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
182 pF @ 25 V760 pF @ 75 V885 pF @ 75 V942 pF @ 30 V2045 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
600mW（Ta）900mW（Ta）2.3W（Ta），31W（Tc）2.3W（Ta），40W（Tc）2.5W（Ta），5W（Tc）
供应商器件封装
6-TSOP8-MLP（3.3x3.3）8-SOICSOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerWDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
onsemi
142,512
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70795
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
4.5V，10V
155 毫欧 @ 1A，10V
2.5V @ 250µA
2.8 nC @ 4.5 V
±20V
182 pF @ 25 V
-
900mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-TSOP
NTGS5120PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
onsemi
43,350
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.8A（Ta）
4.5V，10V
111 毫欧 @ 2.9A，10V
3V @ 250µA
18.1 nC @ 10 V
±20V
942 pF @ 30 V
-
600mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
FDMC4435BZ
FDMC4435BZ
MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP
onsemi
29,524
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.57531
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.5A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 8.5A，10V
3V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±25V
2045 pF @ 15 V
-
2.3W（Ta），31W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
8-MLP, Power33
FDMC86262P
MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP
onsemi
16,581
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.17514
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
2A（Ta），8.4A（Tc）
6V，10V
307 毫欧 @ 2A，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±25V
885 pF @ 75 V
-
2.3W（Ta），40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
FDS86242
FDS86242
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
onsemi
24,487
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.75187
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
4.1A（Ta）
6V，10V
67 毫欧 @ 4.1A，10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。