单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-MDmesh™ IITrenchFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
650mA（Ta），2.2A（Tc）3.1A（Tc）5.8A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，4.5V3V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28 毫欧 @ 5.8A，10V29.8 毫欧 @ 3A，4.5V112 毫欧 @ 2.8A，4.5V1.8 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.2 nC @ 10 V9.5 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V12.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
188 pF @ 50 V386 pF @ 15 V405 pF @ 10 V840 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
720mW（Ta）860mW（Ta），1.6W（Tc）1W（Ta）2W（Ta），22W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerFlat™（3.3x3.3）SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-23F
封装/外壳
8-PowerVDFNSOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
174,418
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82529
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.1A（Tc）
2.5V，4.5V
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW（Ta），1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
759,381
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69123
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.5V，4.5V
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
15,339
现货
1,791,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59843
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
3V，10V
28 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8PowerVDFN
STL3NM60N
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
STMicroelectronics
8,756
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.94665
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
650mA（Ta），2.2A（Tc）
10V
1.8 欧姆 @ 1A，10V
4V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±25V
188 pF @ 50 V
-
2W（Ta），22W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（3.3x3.3）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。