单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.2A（Ta）3.7A（Ta）6.5A（Ta），6.5A（Tc）8.2A（Ta），44A（Tc）12A（Ta）13.3A（Ta），16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.4 毫欧 @ 30A，10V8.5 毫欧 @ 13.3A，10V15 毫欧 @ 7A，10V23 毫欧 @ 6.5A，10V44 毫欧 @ 3.7A，4.5V80 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1.2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V18.6 nC @ 10 V29 nC @ 10 V50 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
200 pF @ 10 V465 pF @ 15 V635 pF @ 15 V993 pF @ 15 V1680 pF @ 15 V1870 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
490mW（Ta）790mW（Ta），23.6W（Tc）1.25W（Tj）1.5W（Ta）2.3W（Ta），29W（Tc）3.5W（Ta），27.8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-MLP（3.3x3.3）8-WDFN（3.3x3.3）PowerPAK® 1212-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
封装/外壳
8-PowerWDFNPowerPAK® 1212-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV40UN2R
MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
415,629
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.74566
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.7A（Ta）
1.8V，4.5V
44 毫欧 @ 3.7A，4.5V
900mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
635 pF @ 15 V
-
490mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NVR4501NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
onsemi
5,121
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.23521
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Ta）
2.5V，4.5V
80 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1.2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±12V
200 pF @ 10 V
-
1.25W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SI7121ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
9,255
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.86681
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 7A，10V
2.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±25V
1870 pF @ 15 V
-
3.5W（Ta），27.8W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SOT-23-3
FDN537N
MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
onsemi
7,763
现货
69,000
工厂
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.03931
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.5A（Ta），6.5A（Tc）
4.5V，10V
23 毫欧 @ 6.5A，10V
3V @ 250µA
8.4 nC @ 10 V
±20V
465 pF @ 15 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-WDFN
NTTFS4C10NTAG
MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN
onsemi
1,180
现货
6,000
工厂
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.38793
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8.2A（Ta），44A（Tc）
4.5V，10V
7.4 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
18.6 nC @ 10 V
±20V
993 pF @ 15 V
-
790mW（Ta），23.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
PowerTrench®
FDMC7692
MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP
onsemi
2,000
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.10675
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.3A（Ta），16A（Tc）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 13.3A，10V
3V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 15 V
-
2.3W（Ta），29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-MLP（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。