单齐纳二极管

结果 : 2
制造商
onsemiVishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-BZX85
包装
剪切带（CT）卷带（TR）
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
24 V47 V
功率 - 最大值
1.3 W5 W
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
500 nA @ 18 V500 nA @ 35.8 V
工作温度
-65°C ~ 200°C-55°C ~ 175°C
封装/外壳
DO-204AL，DO-41，轴向T-18，轴向
供应商器件封装
DO-204AL（DO-41）轴向
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
容差
功率 - 最大值
阻抗（最大值）(Zzt)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
27,033
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.33456
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
24 V
±5%
1.3 W
25 Ohms
500 nA @ 18 V
-
-55°C ~ 175°C
汽车级
AEC-Q101
通孔
DO-204AL，DO-41，轴向
DO-204AL（DO-41）
SurmeticP6KE_6.8A
1N5368BRLG
DIODE ZENER 47V 5W AXIAL
onsemi
11,389
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.28169
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
47 V
±5%
5 W
25 Ohms
500 nA @ 35.8 V
1.2 V @ 1 A
-65°C ~ 200°C
-
-
通孔
T-18，轴向
轴向
显示
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单齐纳二极管

齐纳二极管可用于以反向击穿模式工作，并根据以这种方式使用时的行为来分类。这些器件可用作电压基准或限压用途，还可以用作类似于整流二极管的单向电流阀，但它们在这种模式下的性能通常不如专用器件理想。该系列产品的每个器件封装恰好实现该功能的一个实例。