单双极晶体管

结果 : 3
制造商
Central Semiconductor CorpNexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
600 mA2 A3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
100 V160 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
180mV @ 200mA，2A200mV @ 5mA，50mA1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）
50nA（ICBO）100nA（ICBO）1µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
25 @ 1A，4V80 @ 10mA，5V120 @ 500mA，2V
功率 - 最大值
800 mW1.6 W2 W
频率 - 跃迁
3MHz100MHz300MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
封装/外壳
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
DPAKSOT-223SOT-223（TO-261）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT-223 (TO-261)
NSV1C201MZ4T1G
TRANS NPN 100V 2A SOT223
onsemi
12,527
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.91816
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
2 A
100 V
180mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
120 @ 500mA，2V
800 mW
100MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223（TO-261）
MJD148J
MJD31CAJ
MJD31CA/SOT428/DPAK
Nexperia USA Inc.
5,546
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.44432
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
3 A
100 V
1.2V @ 375mA，3A
1µA
25 @ 1A，4V
1.6 W
3MHz
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DPAK
8,273
现货
1 : ¥10.10000
剪切带（CT）
1,000 : ¥4.44860
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
600 mA
160 V
200mV @ 5mA，50mA
50nA（ICBO）
80 @ 10mA，5V
2 W
300MHz
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
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单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。