单双极晶体管

结果 : 5
制造商
Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
晶体管类型
NPNPNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 mA200 mA3 A3.5 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
20 V40 V45 V50 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
300mV @ 350mA，3.5A300mV @ 5mA，50mA400mV @ 5mA，50mA550mV @ 1.25mA，50mA1.5V @ 250mA，2.5A
电流 - 集电极截止（最大值）
20nA（ICBO）25nA50nA1µA-
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
35 @ 500mA，1V100 @ 10mA，1V150 @ 2A，2V250 @ 2mA，5V
功率 - 最大值
250 mW350 mW625 mW1 W3 W
频率 - 跃迁
180MHz250MHz300MHz-
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-65°C ~ 200°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
封装/外壳
3-UDFNTO-205AD，TO-39-3 金属罐TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装
DFN2020B-3SOT-23TO-236ABTO-39TO-92
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
晶体管类型
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电压 - 集射极击穿（最大值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
功率 - 最大值
频率 - 跃迁
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
14,471
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.25555
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
200 mA
40 V
400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
350 mW
250MHz
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23
TO-236AB
BCX70J,215
TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
33,117
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26970
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
NPN
100 mA
45 V
550mV @ 1.25mA，50mA
20nA（ICBO）
250 @ 2mA，5V
250 mW
250MHz
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
X1-DFN1411-3
ZXTP718MATA
TRANS PNP 20V 3.5A DFN2020B-3
Diodes Incorporated
69,359
现货
87,000
工厂
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46759
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
PNP
3.5 A
20 V
300mV @ 350mA，3.5A
25nA
150 @ 2A，2V
3 W
180MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
3-UDFN
DFN2020B-3
BC327-16
2N3904
BJT TO-92 40V 200MA
Diotec Semiconductor
0
现货
查看交期
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.18338
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
NPN
200 mA
40 V
300mV @ 5mA，50mA
50nA
100 @ 10mA，1V
625 mW
300MHz
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-92
TO-39
2N3507
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Microchip Technology
0
现货
查看交期
100 : ¥200.22680
散装
-
散装
在售
NPN
3 A
50 V
1.5V @ 250mA，2.5A
1µA
35 @ 500mA，1V
1 W
-
-65°C ~ 200°C（TJ）
-
-
通孔
TO-205AD，TO-39-3 金属罐
TO-39
显示
/ 5

单双极晶体管

分立式双极性结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。按照构成晶体管的半导体层顺序的不同，BJT 分为 NPN 和 PNP 两种类型。NPN 晶体管在两层 N 型材料之间夹着一层薄的 P 型半导体，而 PNP 晶体管则是在两层 P 型半导体之间夹着一层 N 型半导体。这使得这两种晶体管的操作极性完全相反。NPN 晶体管吸收电流，而 PNP 晶体管输出电流。