SIS990DN-T1-GE3 | |
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DigiKey 零件编号 | SIS990DN-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR) SIS990DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT) SIS990DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIS990DN-T1-GE3 |
描述 | MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212 |
原厂标准交货期 | 46 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 100V 12.1A 25W 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIS990DN-T1-GE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
配置 | 2 N-通道(双) | |
FET 功能 | - | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12.1A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 85 毫欧 @ 8A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 250pF @ 50V | |
功率 - 最大值 | 25W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 双 | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
---|---|---|
1 | ¥7.31000 | ¥7.31 |
10 | ¥5.95200 | ¥59.52 |
100 | ¥4.63170 | ¥463.17 |
500 | ¥3.92588 | ¥1,962.94 |
1,000 | ¥3.19803 | ¥3,198.03 |
卷带(TR)
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
---|---|---|
3,000 | ¥3.01053 | ¥9,031.59 |
6,000 | ¥2.86718 | ¥17,203.08 |
9,000 | ¥2.73485 | ¥24,613.65 |
30,000 | ¥2.72961 | ¥81,888.30 |
制造商标准包装
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