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市场产品
SIS903DN-T1-GE3 | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SIS903DN-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | SIS903DN-T1-GE3 | |
描述 | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 | |
原厂标准交货期 | 18 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | MOSFET - 阵列 20V 6A（Tc） 2.6W（Ta），23W（Tc） 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8 双 | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | SIS903DN-T1-GE3 型号 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 个 P 沟道（双） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 20V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20.1 毫欧 @ 5A，4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2565pF @ 10V | |
功率 - 最大值 | 2.6W（Ta），23W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 | |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 双 | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.72000 | ¥7.72 |
| 10 | ¥6.34600 | ¥63.46 |
| 100 | ¥4.93630 | ¥493.63 |
| 500 | ¥4.18414 | ¥2,092.07 |
| 1,000 | ¥3.40844 | ¥3,408.44 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥3.20860 | ¥9,625.80 |
| 6,000 | ¥3.05581 | ¥18,334.86 |
| 9,000 | ¥2.91477 | ¥26,232.93 |
Manufacturers Standard Package
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