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SIHP22N60E-E3 可以购买了，但通常没有现货。
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SIHP22N60E-E3 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | SIHP22N60E-E3-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SIHP22N60E-E3 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB |
原厂标准交货期 | 15 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 600 V 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SIHP22N60E-E3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 600 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 86 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±30V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1920 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 227W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220AB | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1,000 | ¥16.47091 | ¥16,470.91 |
制造商标准包装
