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SI4946CDY-T1-GE3 没有现货，但可以进行缺货下单。
可用替代品:
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SI4946CDY-T1-GE3 | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | SI4946CDY-T1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SI4946CDY-T1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SI4946CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | SI4946CDY-T1-GE3 | |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 5.2A/6.1A 8SO | |
原厂标准交货期 | 46 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | MOSFET - 阵列 60V 5.2A（Ta），6.1A（Tc） 2W（Ta），2.8W（Tc） 表面贴装型 8-SO | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | SI4946CDY-T1-GE3 型号 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | - | |
漏源电压（Vdss） | 60V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.2A（Ta），6.1A（Tc） | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40.9 毫欧 @ 5.2A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 30V | |
功率 - 最大值 | 2W（Ta），2.8W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | |
供应商器件封装 | 8-SO | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.55000 | ¥7.55 |
| 10 | ¥6.55100 | ¥65.51 |
| 100 | ¥4.53320 | ¥453.32 |
| 500 | ¥3.78780 | ¥1,893.90 |
| 1,000 | ¥3.22373 | ¥3,223.73 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 2,500 | ¥2.87110 | ¥7,177.75 |
| 5,000 | ¥2.72000 | ¥13,600.00 |
| 12,500 | ¥2.51852 | ¥31,481.50 |
| 25,000 | ¥2.49359 | ¥62,339.75 |
制造商标准包装
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