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SI4808DY-T1-E3 可以购买了，但通常没有现货。
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SI4808DY-T1-E3 | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | SI4808DY-T1-E3-ND - 卷带（TR） | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | SI4808DY-T1-E3 | |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | MOSFET - 阵列 30V 5.7A 1.1W 表面贴装型 8-SOIC | |
规格书 | 规格书 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
配置 | 2 N-通道（双） | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压（Vdss） | 30V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.7A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 7.5A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA（最小） | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - | |
功率 - 最大值 | 1.1W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | |
供应商器件封装 | 8-SOIC | |
基本产品编号 |
