SI4564DY-T1-GE3 | |
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DigiKey 零件编号 | SI4564DY-T1-GE3TR-ND - 卷带(TR) SI4564DY-T1-GE3CT-ND - 剪切带(CT) SI4564DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SI4564DY-T1-GE3 |
描述 | MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC |
原厂标准交货期 | 18 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 40V 10A,9.2A 3.1W,3.2W 表面贴装型 8-SOIC |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SI4564DY-T1-GE3 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | ||
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
配置 | N 和 P 沟道 | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A,9.2A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 17.5 毫欧 @ 8A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 31nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 855pF @ 20V | |
功率 - 最大值 | 3.1W,3.2W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
供应商器件封装 | 8-SOIC | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥10.92000 | ¥10.92 |
10 | ¥8.95600 | ¥89.56 |
100 | ¥6.96480 | ¥696.48 |
500 | ¥5.90350 | ¥2,951.75 |
1,000 | ¥4.80904 | ¥4,809.04 |
卷带(TR)
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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2,500 | ¥4.52713 | ¥11,317.82 |
5,000 | ¥4.31155 | ¥21,557.75 |
12,500 | ¥4.11255 | ¥51,406.87 |
制造商标准包装