Name: TPW1R306PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPW1R306PLL1QTR-ND
Price: 23.48 CNY
Availability: InStock

TPW1R306PL,L1Q
DigiKey 零件编号	TPW1R306PLL1QTR-ND - 卷带（TR） TPW1R306PLL1QCT-ND - 剪切带（CT） TPW1R306PLL1QDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TPW1R306PL,L1Q
描述	MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
原厂标准交货期	32 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 60 V 260A（Tc） 960mW（Ta），170W（Tc） 8-DSOP Advance
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TPW1R306PL,L1Q 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSIX-H
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	260A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.29 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	8100 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	960mW（Ta），170W（Tc）
工作温度	175°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DSOP Advance
封装/外壳	8-PowerWDFN
基本产品编号	TPW1R306