Name: TK2P90E,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK2P90ERQTR-ND
Price: 9.11 CNY
Availability: InStock

TK2P90E,RQ
DigiKey 零件编号	264-TK2P90ERQTR-ND - 卷带（TR） 264-TK2P90ERQCT-ND - 剪切带（CT） 264-TK2P90ERQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK2P90E,RQ
描述	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
原厂标准交货期	24 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 900 V 2A（Ta） 80W（Tc） DPAK
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5.9 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	500 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	80W（Tc）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DPAK
封装/外壳	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63