Name: SSM6L14FE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6L14FE(TE85LF)TR-ND
Price: 3.61 CNY
Availability: InStock

SSM6L14FE(TE85L,F)
DigiKey 零件编号	SSM6L14FE(TE85LF)TR-ND - 卷带（TR） SSM6L14FE(TE85LF)CT-ND - 剪切带（CT） SSM6L14FE(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	SSM6L14FE(TE85L,F)
描述	MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	MOSFET - 阵列 20V 800mA（Ta），720mA（Ta） 150mW（Ta）表面贴装型 ES6
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SSM6L14FE(TE85L,F) 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
技术	MOSFET（金属氧化物）
配置	N 和 P 沟道
FET 功能	逻辑电平栅极，1.5V 驱动
漏源电压（Vdss）	20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	800mA（Ta），720mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	240 毫欧 @ 500mA，4.5V，300 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	2nC @ 4.5V，1.76nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	90pF @ 10V，110pF @ 10V
功率 - 最大值	150mW（Ta）
工作温度	150°C
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	SOT-563，SOT-666
供应商器件封装	ES6
基本产品编号	SSM6L14