SP8M21FRATB 可以购买了,但通常没有现货。
可用替代品:
SP8M21FRATB | |
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DigiKey 零件编号 | SP8M21FRATBTR-ND - 卷带(TR) SP8M21FRATBCT-ND - 剪切带(CT) SP8M21FRATBDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带 |
制造商 | |
制造商产品编号 | SP8M21FRATB |
描述 | MOSFET N/P-CH 45V 6A/4A 8SOP |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | MOSFET - 阵列 45V 6A(Ta),4A(Ta) 2W 表面贴装型 8-SOP |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SP8M21FRATB 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | Rohm Semiconductor | |
系列 | - | |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
零件状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
配置 | N 和 P 沟道 | |
FET 功能 | - | |
漏源电压(Vdss) | 45V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A(Ta),4A(Ta) | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 25 毫欧 @ 6A,10V,46 毫欧 @ 4A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 21.6nC @ 5V,28nC @ 5V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1400pF @ 10V,2400pF @ 10V | |
功率 - 最大值 | 2W | |
工作温度 | 150°C | |
等级 | 汽车级 | |
资质 | AEC-Q101 | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
供应商器件封装 | 8-SOP | |
基本产品编号 |
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