BSM180D12P2C101

DigiKey 零件编号
BSM180D12P2C101-ND
制造商
制造商产品编号
BSM180D12P2C101
描述
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
原厂标准交货期
22 周
客户内部零件编号
详细描述
MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 204A(Tc) 1130W 模块
规格书
 规格书
EDA/CAD 模型
BSM180D12P2C101 型号
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
技术
碳化硅(SiC)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
1200V(1.2kV)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
204A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 35.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
23000pF @ 10V
功率 - 最大值
1130W
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
所有价格均以 CNY 计算
散装
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
1¥3,876.13000¥3,876.13
12¥3,730.40250¥44,764.83
Manufacturers Standard Package