Name: NVMTSC1D3N08M7TXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMTSC1D3N08M7TXGTR-ND
Price: 45.56 CNY
Availability: InStock

NVMTSC1D3N08M7TXG
DigiKey 零件编号	488-NVMTSC1D3N08M7TXGTR-ND - 卷带（TR） 488-NVMTSC1D3N08M7TXGCT-ND - 剪切带（CT） 488-NVMTSC1D3N08M7TXGDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	onsemi
制造商产品编号	NVMTSC1D3N08M7TXG
描述	MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW
原厂标准交货期	17 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 80 V 46A（Ta），348A（Tc） 5.1W（Ta），287W（Tc） 8-DFNW（8.3x8.4）
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	onsemi
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	46A（Ta），348A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.25 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	196 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	14530 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5.1W（Ta），287W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFNW（8.3x8.4）
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	NVMTSC1