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市场产品
IXTP08N100D2 | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | IXTP08N100D2-ND | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | IXTP08N100D2 | |
描述 | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB | |
原厂标准交货期 | 57 周 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 通孔 N 通道 1000 V 800mA（Tc） 60W（Tc） TO-220-3 | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | IXTP08N100D2 型号 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 1000 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 欧姆 @ 400mA，0V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14.6 nC @ 5 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 325 pF @ 25 V | |
FET 功能 | 耗尽模式 | |
功率耗散（最大值） | 60W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-220-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.56000 | ¥23.56 |
| 50 | ¥18.95860 | ¥947.93 |
| 100 | ¥15.59940 | ¥1,559.94 |
| 500 | ¥13.19932 | ¥6,599.66 |
| 1,000 | ¥11.19944 | ¥11,199.44 |
| 2,000 | ¥10.63944 | ¥21,278.88 |
| 5,000 | ¥10.23947 | ¥51,197.35 |
制造商标准包装
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