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市场产品
IPP60R199CPXKSA1 | ||
|---|---|---|
DigiKey 零件编号 | 448-IPP60R199CPXKSA1-ND | |
制造商 | ||
制造商产品编号 | IPP60R199CPXKSA1 | |
描述 | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 | |
客户内部零件编号 | ||
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO220-3 | |
规格书 | 规格书 | |
EDA/CAD 模型 | IPP60R199CPXKSA1 型号 | |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 管件 | |
零件状态 | 不适用于新设计 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 199 毫欧 @ 9.9A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 660µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 43 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1520 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 139W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥32.76000 | ¥32.76 |
| 50 | ¥25.96120 | ¥1,298.06 |
| 100 | ¥22.25230 | ¥2,225.23 |
| 500 | ¥19.78010 | ¥9,890.05 |
| 1,000 | ¥16.93670 | ¥16,936.70 |
| 2,000 | ¥15.94769 | ¥31,895.38 |
| 5,000 | ¥15.30017 | ¥76,500.85 |
制造商标准包装
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