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市场产品
IPN50R950CEATMA1 | |
|---|---|
DigiKey 零件编号 | IPN50R950CEATMA1TR-ND - 卷带（TR） IPN50R950CEATMA1CT-ND - 剪切带（CT） |
制造商 | |
制造商产品编号 | IPN50R950CEATMA1 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 表面贴装型 N 通道 500 V 6.6A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223 |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | IPN50R950CEATMA1 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） | |
零件状态 | 停产 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 500 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 13V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 950 毫欧 @ 1.2A，13V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 100µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10.5 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 231 pF @ 100 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 5W（Tc） | |
工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-SOT223 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
剪切带（CT）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.01000 | ¥5.01 |
| 10 | ¥4.25300 | ¥42.53 |
| 100 | ¥2.95560 | ¥295.56 |
| 500 | ¥2.30780 | ¥1,153.90 |
| 1,000 | ¥1.87579 | ¥1,875.79 |
卷带（TR）
| 数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
|---|---|---|
| 3,000 | ¥1.67681 | ¥5,030.43 |
| 6,000 | ¥1.59157 | ¥9,549.42 |
| 9,000 | ¥1.47788 | ¥13,300.92 |
| 30,000 | ¥1.44378 | ¥43,313.40 |
制造商标准包装
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