IDB30E60ATMA1 已经过时且不再制造。
可用替代品:

类似


WeEn Semiconductors
现货: 0
单价: ¥3.55702
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥17.68663
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥12.46226
规格书

类似


IXYS
现货: 228
单价: ¥37.02000
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥10.53195
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥27.75838
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥20.24449
规格书

类似


IXYS
现货: 0
单价: ¥90.14000
规格书

类似


Rohm Semiconductor
现货: 1,336
单价: ¥12.56000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 0
单价: ¥10.75000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 2,250
单价: ¥10.75000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 29
单价: ¥13.38000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 1,775
单价: ¥19.70000
规格书

类似


STMicroelectronics
现货: 732
单价: ¥19.05000
规格书

IDB30E60ATMA1

DigiKey 零件编号
448-IDB30E60ATMA1TR-ND - 卷带(TR)
制造商
制造商产品编号
IDB30E60ATMA1
描述
DIODE GP 600V 52.3A TO263-3-2
客户内部零件编号
详细描述
二极管 600 V 52.3A 表面贴装型 PG-TO263-3-2
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
系列
-
包装
卷带(TR)
零件状态
停产
技术
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
600 V
电流 - 平均整流 (Io)
52.3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
2 V @ 30 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
126 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
50 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
工作温度 - 结
-40°C ~ 175°C
基本产品编号