FF150R12KE3GB2HOSA1 | |
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DigiKey 零件编号 | 448-FF150R12KE3GB2HOSA1-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | FF150R12KE3GB2HOSA1 |
描述 | IGBT MODULE VCES 1200V 150A |
原厂标准交货期 | 16 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥逆变器 1200 V 225 A 780 W 底座安装 模块 |
规格书 | 规格书 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
---|---|---|
类别 | ||
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | ||
包装 | 托盘 | |
零件状态 | 在售 | |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | |
配置 | 半桥逆变器 | |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200 V | |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 225 A | |
功率 - 最大值 | 780 W | |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2.15V @ 15V,150A | |
电流 - 集电极截止(最大值) | 5 mA | |
不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 11 nF @ 25 V | |
输入 | 标准 | |
NTC 热敏电阻 | 无 | |
工作温度 | -40°C ~ 125°C(TJ) | |
安装类型 | 底座安装 | |
封装/外壳 | 模块 | |
供应商器件封装 | 模块 | |
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
托盘
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥1,057.20000 | ¥1,057.20 |
10 | ¥978.60300 | ¥9,786.03 |
30 | ¥942.88733 | ¥28,286.62 |
80 | ¥900.02775 | ¥72,002.22 |
制造商标准包装
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