Name: BSZ100N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ100N03MSGATMA1TR-ND
Price: 6.73 CNY
Availability: InStock

BSZ100N03MSGATMA1
DigiKey 零件编号	BSZ100N03MSGATMA1TR-ND - 卷带（TR） BSZ100N03MSGATMA1CT-ND - 剪切带（CT） BSZ100N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	BSZ100N03MSGATMA1
描述	MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
原厂标准交货期	20 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9.1 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1700 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.1W（Ta），30W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TSDSON-8
封装/外壳	8-PowerTDFN
基本产品编号	BSZ100

BSZ100N03MSGATMA1