Name: DMP10H4D2SQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP10H4D2SQ-13TR-ND
Price: 0.4285 CNY
Availability: OutOfStock

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Diodes Incorporated
系列	-
包装	卷带（TR）
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	270mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	87 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	380mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
等级	汽车级
资质	AEC-Q101
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

DMP10H4D2SQ-13