单 IGBT

结果 : 4
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
40 A60 A80 A100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A90 A120 A150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，40A2V @ 15V，50A2.05V @ 15V，20A2.05V @ 15V，30A
功率 - 最大值
159 W180 W238 W300 W
开关能量
110µJ（关）123µJ（关）190µJ（关）284µJ（关）
栅极电荷
56 nC80 nC114 nC158 nC
25°C 时 Td（开/关）值
-/120ns-/200ns-/210ns-/260ns
测试条件
400V，20A，22 欧姆，15V400V，30A，22 欧姆，15V400V，40A，22 欧姆，15V400V，50A，22 欧姆，15V
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
应用的筛选条件 删除全部
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
功率 - 最大值
开关能量
输入类型
栅极电荷
25°C 时 Td（开/关）值
测试条件
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
TO-247-3
STGWA30IH65DF
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
STMicroelectronics
80
现货
1 : ¥17.73000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
60 A
90 A
2.05V @ 15V，30A
180 W
123µJ（关）
标准
80 nC
-/200ns
400V，30A，22 欧姆，15V
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
STGWA20IH65DF
STGWA20IH65DF
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
STMicroelectronics
24
现货
1 : ¥22.33000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
40 A
60 A
2.05V @ 15V，20A
159 W
110µJ（关）
标准
56 nC
-/120ns
400V，20A，22 欧姆，15V
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
TO-247-3
STGWA50IH65DF
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥37.43000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
100 A
150 A
2V @ 15V，50A
300 W
284µJ（关）
标准
158 nC
-/260ns
400V，50A，22 欧姆，15V
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
TO-247-3
STGWA40IH65DF
TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V 40
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥38.67000
管件
管件
在售
沟槽型场截止
650 V
80 A
120 A
2V @ 15V，40A
238 W
190µJ（关）
标准
114 nC
-/210ns
400V，40A，22 欧姆，15V
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247 长引线
显示
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单 IGBT

单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。