SQJ407EP 和 SQJ409EP 汽车级 MOSFET

Vishay 带鸥翼引线的 MOSFET 比 DPAK 节省了 50% 的空间

Vishay Siliconix 的 SQJ407EP 和 SQJ409EP 汽车级 MOSFET 图片Vishay 的 -30 V 和 -40 V 汽车级 p 沟道 TrenchFET® 功率 MOSFET 采用带鸥翼形引线的 PowerPAK SO-8L 封装,旨在提高板级可靠性。与采用 DPAK 封装的器件相比,其安装面积减少了 50% 以上,符合 AEC-Q101 标准的 SQJ407EP 和 SQJ409EP,节省了 PCB 空间并降低了成本,同时其导通电阻比 5 mm x 6 mm 基底面引线的 MOSFET 更低。作为 p 沟道 MOSFET,这些器件可实现理想的负载开关,而无需电荷泵来提供 n 沟道同类产品所需的正栅极偏置。鸥翼形引线可在温度循环、电路板弯曲、振动和跌落事故期间减轻机械应力。与刚性 QFN 封装相比,SQJ407EP 和 SQJ409EP 均具有出色的板级可靠性,并可以通过自动光学检查 (AOI) 流程获得更一致、更可靠的结果。应用包括反极性电池保护以及用于 12 V 汽车系统中的电机驱动器和主电源的高端开关。

特性
  • 紧凑的 5 mm x 6 mm PowerPAK SO-8L 封装节省了 PCB 空间
  • 鸥翼式引线提高了板级可靠性
  • 10 V 时的导通电阻极低,分别低至 4.4 mΩ (SQJ407EP) 和 7.0 mΩ (SQJ409EP)
  • 工作温度高达 +175°C
  • 无铅、无卤素且符合 RoHS 规范
  • 经过 100% Rg 和 UIS 测试

SQJ407EP and SQJ409EP Automotive-Grade MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8SQJ407EP-T1_GE3MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-85084 - 立即发货$11.74查看详情
MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-8SQJ409EP-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 60A PPAK SO-812415 - 立即发货$11.82查看详情
发布日期: 2019-10-04