Vishay / Siliconix

SiSS52DN 30 V N 沟道 MOSFET

Vishay 的 MOSFET 采用 PowerPAK® 1212 8S 封装，可提供低至 0.95 mΩ 的 RDS(ON) 和 29.8 mΩ*nC 的改进 FOM

Vishay 的 SiSS52DN 30 V N 沟道 MOSFET 图片Vishay 的多功能 SiSS52DN 30 V n 沟道 TrenchFET® Gen V 功率 MOSFET 可为隔离和非隔离型拓扑提供更高的功率密度和效率，从而简化了同时使用两者的设计人员的零件选择。它采用 3.3 mm x 3.3 mm 耐热增强型 PowerPAK 1212-8S 封装，在 10 V 电压下具有 0.95 mΩ 的同类最佳导通电阻，比上一代产品提高了 5%。此外，该 MOSFET 在 4.5 V 时提供 1.5 mΩ 的导通电阻，而其 4.5 V 时用于开关应用的 MOSFET 关键品质因数仅为 (FOM) 29.8 mΩ*nC（导通电阻乘以栅极电荷）。SiSS52DN 的 FOM 比上一代器件提高了 29%，使得传导和开关损耗下降，从而在功率转换应用中节省能源。

特性
  • 同类最佳的导通电阻：10 V 时为 0.95 mΩ
  • FOM 非常低：29.8 mΩ*nC
  • 采用 3.3 mm x 3.3 mm 耐热增强型 PowerPAK 1212-8S 封装
  • 通过 100% RG 和 UIS 测试、符合 RoHS 规范且不含卤素
应用
  • 服务器、电信和 RF 设备中的电源
    • 低侧开关
    • 同步整流
    • 同步降压稳压器
    • DC/DC 转换器
    • 开关柜拓扑
    • OR-ring FET
    • 负载开关

SiSS52DN 30 V N-Channel MOSFET

图片制造商零件编号描述25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)技术漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAKSISS52DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK47.1A（Ta），162A（Tc）MOSFET（金属氧化物）30 V4970 - 立即发货$8.37查看详情
发布日期： 2021-04-26

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