Vishay General Semiconductor - Diodes Division

VS-GTxxxTS065x 半桥、高速、低 VCE(ON) IGBT 功率模块

Vishay 为设计人员提供低 VCE(ON) 或低 Eoff 的选择，以降低传导或开关损耗

Vishay VS-GTxxxTS065x IGBT 电源模块的图片Vishay 的半桥 IGBT 功率模块采用重新设计的 INT-A-PAK 封装。VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N 基于 Vishay 的沟槽式 IGBT 技术，为设计人员提供了两种一流技术的选择：低 VCE(ON) 或低 Eoff，以降低交通、能源和工业应用中大电流逆变器级的传导或开关损耗。与其他器件相比，该器件的沟槽式 IGBT 具有更高的节能效果，而其 Gen IV FRED Pt® 反并联二极管则提供超软反向恢复特性。该模块的紧凑型 INT-A-PAK 封装提供更新的栅极引脚方向，现与 34 mm 行业标准封装 100% 兼容，可支持机械直接替换。

特性
  • +125°C 和额定电流下，集电极-发射极电压低于或等于 1.07 V，为业界低值（GT100TS065S、VS-GT150TS065S 和 VS-GT200TS065S）
    • 减少 TIG 焊机输出级的传导损耗
  • 极低的开关损耗，具有 +125°C 和额定电流下低至 1.0 mJ 的 Eoff（VS-GT100TS065N 和 VS-GT200TS065N）
    • 高频电源应用的理想选择
  • 650 V 集电极-发射极电压
  • 采用重新设计的 INT-A-PAK 封装
  • 结合 Trench IGBT 与 Gen IV FRED Pt 反并联二极管
  • 连续集电极电流为 100 A 至 200 A
  • 极低的结壳热阻
  • UL 批准文件 E78996
  • 可直接安装至散热器
  • 低 EMI 降低了缓冲要求
  • 符合 RoHS 规范
应用
  • 电源逆变器
    • 铁路设备
    • 发电
    • 分配
    • 存储系统
  • 焊接设备
  • 电机驱动
  • 机器人技术

VS-GTxxxTS065x IGBT Power Modules

图片制造商零件编号描述电流 - 集电极 (Ic)（最大值）功率 - 最大值不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）可供货数量价格查看详情
MODULES IGBT - IAP IGBTVS-GT100TS065NMODULES IGBT - IAP IGBT96 A259 W2.3V @ 15V，100A12 - 立即发货$590.91查看详情
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发布日期： 2024-02-21