VMMBZ ESD 保护二极管

Vishay 的单线双向 ESD 保护二极管具有 ±14 V 至 ± 28 V 的工作范围

Vishay Semi Diodes 的 VMMBZ ESD 保护二极管图片Vishay 的 VMMBZ ESD 保护二极管采用紧凑型 DFN1006-2A 或 DFN1006-2 封装,封装高度小于 0.5 mm。这些器件提供单线双向 ESD 保护,并提供符合 AEC-Q101 标准的版本。VMMBZ 二极管的工作范围为 ±14 V 至 ± 28 V。由于微型 DFN1006 封装的短引线和小封装尺寸,线路电感非常低,因此可以用最小的过冲或下冲钳制 ESD 冲击等快速瞬变。VMMZ 系列连接在信号线(或数据线)与地之间,通过低漏电电流提供高隔离。

特性
  • 紧凑的 DFN1006-2B 封装
  • 低封装高度:小于 0.5 mm
  • 单线双向 ESD 保护
  • 提供符合 AEC-Q101 标准的版本
  • 工作范围:±14 V 至 ±28 V
  • 符合 IEC 61000-4-2 标准的 ESD 抗扰度
    • ±15 kV 至 ±30 kV 接触放电
    • ±15 kV 至 ±30 kV 空气放电
应用
  • 智能手机
  • 数码相机
  • 游戏系统

VMMBZ ESD Protection Diodes

图片制造商零件编号描述电压 - 击穿(最小值)不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)可供货数量价格查看详情
14V;IR=0.1A;IP=4A;P=108W;CD=17PFVMMBZ16C1HD1HG3-0814V;IR=0.1A;IP=4A;P=108W;CD=17PF15.2V27V700mA8450 - 立即发货$3.53查看详情
14V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17PVMMBZ16C1HD1-G3-0814V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17P15.2V27V700mA10657 - 立即发货$3.53查看详情
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1VMMBZ33C1HD1HG3-0828V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=131.3V85V300mA11782 - 立即发货$3.53查看详情
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1VMMBZ33C1HD1-G3-0828V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=131.3V85V300mA11084 - 立即发货$3.53查看详情
14V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17PVMMBZ16C1DD1HG3-0814V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17P16.2V27V650mA8067 - 立即发货$3.12查看详情
14V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17PVMMBZ16C1DD1-G3-0814V;IR=0.1UA;IP=4A;P=108W;CD=17P16.2V27V650mA9025 - 立即发货$3.12查看详情
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1VMMBZ33C1DD1HG3-0828V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=132.7V59V300mA2865 - 立即发货$3.12查看详情
28V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=1VMMBZ33C1DD1-G3-0828V;IR=0.1UA;IP=1.7A;P=100W;CD=132.7V59V300mA1728 - 立即发货$3.10查看详情
发布日期: 2022-05-04