Vishay General Semiconductor - Diodes Division

碳化硅肖特基势垒二极管 BSD

Vishay 的集成电源组件在单个外壳中提供可靠的性能和更高的功率密度

Vishay Semi Diodes 的碳化硅肖特基势垒二极管图片Vishay 基于宽带隙 SiC 的 650 V 肖特基二极管专为高性能和坚固性而设计。它是在宽温度范围内实现高速、硬开关和高效操作的最佳选择，也推荐用于所有受硅超快恢复行为影响的应用。典型应用包括 FBPS 和 LLC 转换器中的 AC/DC PFC 和 DC/DC 超高频输出整流。

特性
  • 几乎没有恢复尾部和开关损耗
  • 采用肖特基技术的 SiC 宽带隙材料上的多数载流子二极管
  • 高速开关和低开关损耗
  • 具有正温度系数，易于并联
  • 电隔离底板
  • 端子间爬电距离大
  • 简化机械设计、快速装配
  • 专为工业级应用设计，并通过相关鉴定
  • UL 批准文件 E78996
  • 通过薄晶圆技术提高 VF 和效率

Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes - Single Diode

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MODULES RECTIFIERS - SOT-227 SICVS-SC40FA65MODULES RECTIFIERS - SOT-227 SIC0 - 立即发货$318.76查看详情
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Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes - Diode Arrays

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发布日期： 2024-04-22