Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

TPH9R00CQH N 沟道功率 MOSFET

Toshiba 的 MOSFET 适用于工业设备的开关电源

Toshiba 的 TPH9R00CQH N 沟道功率 MOSFET 图片Toshiba 的 150 V N 沟道功率 MOSFET TPH9R00CQH 采用最新一代 U-MOS X 工艺，适用于工业设备的开关电源，包括部署在数据中心和通信基站的设备。

由于 MOSFET 结构的优化，TPH9R00CQH 在 VGS=10 V 时的漏源导通电阻为 9.0 mΩ（最大值）。此外，开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压有所降低，这有助于降低开关电源中的电磁干扰 (EMI)。该器件可在高达 +175°C 的通道温度下工作。

特性
  • 行业领先的低损耗（改善了导通电阻、栅极开关电荷和输出电荷之间的平衡）
  • 行业领先的导通电阻：RDS(ON)=9.0 mΩ（最大值）（在 VGS=10 V 时）
  • 高通道温度等级：Tch（最大值）=+175°C
应用
  • 通信设备电源
  • 开关电源（高效 DC/DC 转换器等）

TPH9R00CQH N-Channel Power MOSFET

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UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHMTPH9R00CQH,LQUMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM8711 - 立即发货$15.61查看详情
发布日期： 2022-03-22