Texas Instruments

TPS54116-Q1 降压转换器

TI 提供 TPS54116-Q1 汽车级 DDR 电源解决方案，该方案包括一个 4 A、2 MHz VDDQ DC/DC 转换器、1 A VTT LDO 和 VTTREF 缓冲式基准输出

Texas Instruments 的 TPS54116-Q1 降压转换器的图片Texas Instruments 的 TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器，配有两个集成 MOSFET、一个带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。 TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸，其开关频率最高达 2.5MHz。 开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型应用的需求，而且能够与外部时钟同步。 同步整流使频率在整个输出负载范围内保持恒定。 通过集成 25mΩ 低压侧 MOSFET 和 33mΩ 高压侧 MOSFET 最大限度地提升了效率。 逐周期峰值电流限制功能可在过流状态下保护器件，且该功能可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整，从而针对小尺寸电感进行优化。

VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应，从而减少了外部组件数量。 TPS54116-Q1 使用 VTT 远程检测功能，从而实现最佳稳压。 该器件利用使能引脚进入关断模式可将电源电流降至 1µA。 欠压锁定阈值可通过任一使能引脚上的电阻排进行设置。 VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会放电。 该器件具备全集成特性并且采用小型 4 mm × 4 mm 耐热增强型 WQFN 封装，最大限度地减小了 IC 尺寸。

特性
  • 通过了 AEC-Q100 标准鉴定，结果如下：
    • 器件温度 1 级：工作环境温度范围 -40°C 至 125°C
    • 器件 HBM ESD 分类第 2 级
    • 器件 CDM ESD 分类第 C6 级
  • 1 A 拉/灌电流终端 LDO，精确度为 ±20 mV DC
    • 通过 2 个 10 µ F MLCC 电容器实现稳定
    • 10mA 拉/灌电流、缓冲式基准输出稳定在 VDDQ 的 49% 至 51% 之间
  • 独立使能引脚，欠压锁定 (UVLO) 和迟滞均可调
  • 热关断
  • 单片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案
  • 4 A 同步降压转换器
    • 33mΩ 高压侧和 25mΩ 低压侧集成 MOSFET
    • 恒频电流模式控制器
    • 可调节频率：100 kHz 至 2.5 MHz
    • 可与外部时钟同步
    • 整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1%
    • 可调逐周期峰值限流功能
    • 单调启动到预偏置输出
  • 24 引脚 4 mm x 4 mm WQFN 封装
  • -40°C 至 150°C 工作温度 TJ

TPS54116-Q1 Step-Down Converters

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFNTPS54116QRTWTQ1IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFN1077 - 立即发货$52.13查看详情
IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFNTPS54116QRTWRQ1IC REG CONV DDR 1OUT 24WQFN1239 - 立即发货$48.35查看详情
发布日期： 2016-10-05

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