设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
LM74720-Q1 汽车级低 IQ 理想二极管控制器
Texas Instruments 的控制器提供有源整流和负载突降保护
Texas Instruments 的 LM74720-Q1 理想二极管控制器驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3 V 至 65 V 的宽输入电源范围允许保护和控制 12 V 和 24 V 汽车电池供电的 ECU。该器件可以承受和保护负载免受低至 -65 V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 驱动第一个 MOSFET 以替代肖特基二极管，从而实现反向输入保护和输出电压保持。
具有快速开启和关闭比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（例如 ISO16750 或 LV124，ECU 会受到输入短时中断和高达 100 kHz 频率的交流叠加输入信号影响）期间确保稳健高效的 MOSFET 开关性能。运行中 35 µA（最大值）的低静态电流可实现始终开启的系统设计。通过电源路径中的第二个 MOSFET，LM74720-Q1 允许使用 EN 引脚进行负载断开控制。EN 低时，静态电流降至 3.3 μA（最大值）。该器件具有用于负载突降保护的可调节过压切断保护功能。
特性
- 通过 AEC-Q100 认证
- 环境工作温度范围 1 级：-40°C 至 +125°C
- HBM ESD 分类 2 级
- CDM ESD 分类 C4B 级
- 输入范围：3 V 至 65 V
- 反向输入保护电压：可低至 -60 V
- 低静态电流：运行时 35 µA（最大值）
- 低 3.3 µA（最大值）关断电流（EN = 低）
- 具有 17 mV A 至 C 正向压降调节的理想二极管操作
- 驱动外部背靠背 N 沟道 MOSFET
- 集成 29 mA 升压稳压器
- 对反向电流阻断的快速响应：0.5 µs
- 有源整流：高达 100 kHz
- 可调过压保护
- 采用适当的 TVS 二极管时，符合 ISO7637 汽车瞬态要求
- 封装：节省空间的 12 引脚 WSON
- 与 LM74721-Q1 引脚对引脚兼容
应用
- 汽车电池保护：ADAS 域控制器、高级音频放大器、音响主机和网关
Evaluation Board
发布日期： 2022-03-24
